Abhishek KUMAR (ABHISHEK) - Admis au titre de docteur

Identifiant Hal https://hal.archives-ouvertes.fr/search/index/?q=%2A&authIdHal_s=ABHISHEK KUMAR

Doctorat MicroNano Systèmes

Thèse soutenue le 13 octobre 2022 - Université de Toulouse

Ecole doctorale : GEETS - Génie Electrique Electronique,Télécommunications et Santé : du système au nanosystème

Sujet : Transistors nanométriques à grille entourante sur canal vertical en silicium : fabrication, caractérisation et développement de portes logiques standards

Mots-clés de la thèse : transistor MOS,Nanofabrication,nanodispositif,Nanofils,Nano-feuilles,

Direction de thèse : Guilhem LARRIEU

Unité de recherche : LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes UPR 8001 - Toulouse
Intitulé de l'équipe : MPN - Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique

Master - Master of Science, Mention AERONAUTIQUE ET ESPACE

obtenu en août 2018 - Toulouse INP
Option : Electronic System for Embedded and Communicating Applications ESECA

Production scientifique

- Simon Grall1, Abhishek Kumar2, Laurent Jalabert1, Soo-Hyeon Kim1, Guilhem Larrieu1,2 and Nicolas Clement1 2022. Random telegraph signals in nanoscale vertical junctionless transistors with gate-all-around Applied Physics Express, Volume 15, Number 7, https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ac72f6/meta
- Abhishek Kumar, Jonas Müller, Aurélie Lecestre, Guilhem Larrieu 2022. Vertical Junction-less Gate-All-Around Transistors with Reliable 3D Multilevel Contact Engineering for High Performance and Low Power Applications hal-03600982, -, https://hal.laas.fr/hal-03600982/document

Langues Vivantes : Français B1 - Intermédiaire - Anglais C2 - Maternel

Dernière mise à jour le 10 octobre 2022