Dans cette thèse, nous présentons une technique de contrôle actif de grille pour maitriser la vitesse de commutation de transistors de puissance à semiconducteur grand–gap (technologies SiC et GaN). Un circuit de commande rapprochée innovant, permet de ralentir la vitesse de commutation à l’amorçage du transistor de puissance, réduisant ainsi les perturbations CEM, sans pour autant impacter trop lourdement les pertes de commutation. La méthode proposée est implémentée dans deux circuits intégrés en technologie CMOS qui permettent d’obtenir des temps de réaction pour une boucle de rétroaction inférieurs à la nanoseconde. Avec de telles performances, il est montré expérimentalement qu’il est possible de contrôler des vitesses de commutation supérieures à 100 V/ns sous des tensions de 400 V. |
The thesis is about an active gate control technique to control the switching speed of wide bandgap semiconductor power transistors. An innovative close-loop control circuit makes it possible to slow the switching speed during switch on transition of the power transistor, thereby reducing EMI disturbances, without however increase switching losses too heavily. The proposed method is implemented in two integrated circuits in CMOS technology which make it possible to obtain delay times for a feedback loop below the nanosecond. With such performances, it has been shown experimentally that it is possible to control switching speeds higher than 100 V/ns under voltages of 400 V. |