Dans le domaine de la micro-électronique hyperfréquence nouvelle génération, les technologies de fabrication des transistors pour amplification de puissance ont fait une percée remarquable, avec des performances permettant d'accroitre le gain de puissance d'un ordre de grandeur par rapport aux solutions actuelles. Cette augmentation s'accompagne d'un dégagement de puissance thermique et les matériaux utilisés actuellement pour le report des puces ne permettent pas de tirer pleinement profits de ces composants à cause de leurs propriétés thermiques limitées.
C'est dans ce contexte que s'inscrivent les travaux de cette thèse, qui présente le développement d'un nouveau matériau de report de puce à forte conductivité thermique, mis en oeuvre en dessous de 300°C et sous faible pression. Cette méthode tire notamment son originalité de l'utilisation d'un précurseur chimique, l'oxalate d'argent, et de la création transitoire de nanoparticules d'argent au sein même de la brasure, évitant ainsi leur manipulation. |
In the field of new generation power electronic devices, transistor manufacturing technologies made a spectacular breakthrough, with properties that enable to increase the output power by ten, in comparison to currently used solutions. This rise is accompanied by a heat release and currently used die-attach materials, with limited thermal properties, don't enable taking full advantage of these new components.
Within this context, this thesis presents the development of a new high thermal conductivity interconnection material, processed under 300°C and a low pressure. This method finds its originality in the several aspects, such as the use of a chemical precursor, silver oxalate, and the transitional creation of silver nanoparticles inside the solder itself, enabling to avoiding their direct handling. |