Yazan BARAZI - Soutenance en cours de traitement


barazi@laplace.univ-tlse.fr
Compte LinkedIn www.linkedin.com/in/yazan-barazi

Expérience professionnelle :
CDD du 26 octobre 2020 au 24 avril 2021
Domaine d'activité : Génie électrique
Type de contrat : Contrat post-doctoral en organisme de recherche (EPST, EPIC, EPA)
Fonction exercée : Post-Doc
Secteur d'emploi : Recherche-développement en sciences physiques et naturelles
Unité de recherche ou entreprise : IRT saint Exupéry
Toulouse - FRANCE

Doctorat Génie Electrique


Thèse soutenue le 1 octobre 2020 - Institut National Polytechnique de Toulouse

Ecole doctorale : GEETS - Génie Electrique Electronique,Télécommunications et Santé : du système au nanosystème

Sujet : Protection rapide en régime extrême de court-circuit des transistors MOSFET SiC par fonctions intégrées en technologie ASIC CMOS

Mots-clés de la thèse : Conception CMOS,Electronique analogique et numérique,électronique de puissance,commande de transistors grands gaps,MOSFET SiC,Court-Circuit & protection

Direction de thèse : Nicolas ROUGER

Co-direction de thèse : Frédéric RICHARDEAU

Unité de recherche : LAPLACE - Laboratoire PLAsma et Conversion d'Énergie UMR 5213 - Toulouse
Intitulé de l'équipe : CS - Groupe Convertisseurs statiques

Master - électronique énergie électrique automatique

obtenu en août 2017 - Université de Montpellier
Option : Systèmes Electroniques Intégrés

Production scientifique

- Barazi Yazan, François Boige, Jean-Marc Blaquiere, Nicolas Rouger, Fréderic Richardeau 2020. (ig, vgs) Monitoring for Fast and Robust SiC MOSFET Short-Circuit Protection with High Integration Capability   EPE ECCE , 8,
- Yazan Barazi, Nicolas Rouger, Frédéric Richardeau 2020. CMOS Gate Driver with fast short circuit protection for SiC MOSFETs   , pp.94-97,
- Yazan Barazi, Nicolas Rouger, Frédéric Richardeau 2020. Comparison between ig integration and vgs derivation methods dedicated to fast short-circuit 2D diagnosis for wide bandgap power transistors   MATCOM, 15, https://doi.org/10.1016/j.matcom.2020.05.011
- Nicolas Rouger, Yazan Barazi, Marc Cousineau, Frédéric Richardeau 2020. Modular Multilevel SOI-CMOS Active Gate Driver Architecture for SiC MOSFETs   , pp.278-281,
- Barazi Yazan 2020. Nouvelles fonctions pour Gate driver Surveillance et protection ultra-rapide appliquées au MOSFET SiC   GEET, 3,
- Yazan BARAZI, François BOIGE, Nicolas ROUGER, Jean-Marc BLAQUIERE, Fréderic RICHARDEAU 2020. Protection rapide et robuste contre les courts-circuits internes de convertisseurs à base de MOSFETs SiC   SGE, 7,
- Barazi Yazan - Nicolas Rouger - Fréderic Richardeau 2019. Comparison between ig Integration and vgs Derivation methods dedicated to fast Short-Circuit 2D-Diagnosis for Wide Band Gap Power Devices   ELECTRIMACS2019, 6,
- Yazan Barazi, Nicolas Rouger, Fréderic Richardeau 2019. Short-Circuit Detection & Protection Methods for wide bandgap devices   école thématique CNRS 2019 Fiabilité et sûreté de fonctionnement, 1,
- Yazan Barazi, Nicolas Rouger, Fréderic Richardeau 2018. Short-Circuit Detection & Protection Method Based on a Gate Charge Monitoring for wide bandgap devices   Ecole thematique Grand Gap, 1,

Langues Vivantes : Français C2 - Courant - Arabe C2 - Maternel - Anglais Maternel

Dernière mise à jour le 10 septembre 2020