Antoine DELMAS - Soutenance en cours de traitement


Techniques maîtrisées :
Simulations circuit: SPICE, ADS, QUCS. Simulations circuit et RF. Simulations électrothermiques: TCAD Mesures physiques: Communications optiques, Oscilloscopes numériques, Microscopie, Spectroscopie ... Mesures ESD: Outils de mesure ESD standards: TLP, vf-TLP, Gun-Stress, HBM, MM. Instrumentation ESD. Mesures électriques et RF: Analyseurs de réseau, analyseurs de spectre. Composants RF. Mesures sous pointes. Design de Layout: Outil de design Cadence Virtuoso. Outils mathématiques: Matcad, bonne maitrise de Matlab, Maple Automatisation: Connaissances en Labview. Programmation: C
Compétences :
Aisance en anglais. Travail pendant deux ans au sein d'une équipe américaine localisée à Tempe (Arizona), USA. Bonne capacité au travail en équipe. Forte autonomie.

Expérience professionnelle :
CDI depuis le 5 décembre 2011
Domaine d'activité : Microélectronique
Type de contrat : Entreprises
Fonction exercée : Ingénieur conception ESD
Unité de recherche ou entreprise : Freescale Semiconductor
Toulouse - FRANCE

Doctorat MicroNano Systèmes


Thèse soutenue le 27 février 2012 - Université de Toulouse

Ecole doctorale : GEETS - Génie Electrique Electronique,Télécommunications et Santé : du système au nanosystème

Sujet : Étude transitoire du déclenchement de protections haute tension contre les décharges électrostatiques

Mots-clés de la thèse : ESD,Smart Power,Instrumentation,TCAD,Transitoire,Haute tension

Direction de thèse : Nicolas NOLHIER

Co-encadrement de thèse : Marise BAFLEUR

Unité de recherche : LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes UPR 8001 - Toulouse
Intitulé de l'équipe : ISGE - Intégration des Systèmes de Gestion de l'Energie

Ingénieur - Ingénieur INSA RENNES

obtenu en juin 2007 - INSA RENNES
Option : Matériaux et NanoTechnologies (génie physique)

Production scientifique

- Jean-Philippe Laine, Alain Salles, Patrice Besse, Antoine Delmas 2012. Impact of snapback behavior on System level ESD performance with single and double stack of Bipolar ESD structures   EOS/ESD Symposium 2012, ,
- Antoine Delmas, Patrice Besse, Alain Salles, Jean-Philippe Laine 2012. Investigating ESD protection efficiency through advanced transient analysis   EOS/ESD Symposium 2012, ,
- Antoine Delmas. 2010. Méthode précise de mesure du comportement transitoire de protections ESD haute tension, basée sur un système vf-TLP.   journée GEET, mars 2010, , http://spiderman-2.laas.fr/GEET/COM2010/MN_Delmas.pdf
- Antoine Delmas, Amaury Gendron, Marise Bafleur, Nicolas Nolhier, Chai Gill 2010. Transient voltage overshoots of high voltage ESD protections based on bipolar transistors in smart power technology.   IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), 2010, , http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=5667967
- Antoine Delmas, David Trémouilles, Nicolas Nolhier, Marise Bafleur, Nicolas Mauran, Amaury Gendron 2009. Accurate transient behavior measurement of High-Voltage ESD Protections Based on a Very Fast Transmission-Line Pulse system   EOS/ESD Symposium 2009, , http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=5340128

Informations complémentaires :
Alpinisme, escalade dans les Pyrénées et dans les Alpes. Musique (15 ans de piano)
Langues Vivantes : Anglais C2 - Courant - Allemand B1 - Intermédiaire
Dernière mise à jour le 27 janvier 2012