Simon PERRET-TRAN-VAN - Soutenance en cours de traitement

En recherche d'emploi
Disponibilité : octobre 2011 - Soutenance prévue le 27 septembre 2011.
Mobilité : Amérique du nord - Canada, USA.
Techniques maîtrisées :
Élaboration de matériaux par des procédés plasma Diagnostic sur couches minces : Ellipsométrie spectroscopique, Microscopie Electronique à Transmission, HREM, FTIR, Photoluminscence et caractérisation électrique sur banc C(V) Programmation : Matlab, Fortran, C, Octave, Scilab, Spice* Langues : Français, Anglais TOEIC 800. Très bonne maitrise de l'outil informatique
Compétences :
Prise de parole en public Travail en équipe Veille technologique

Doctorat Génie Electrique

Thèse soutenue le 27 septembre 2011 - Université de Toulouse

Ecole doctorale : GEETS - Génie Electrique Electronique,Télécommunications et Santé : du système au nanosystème

Sujet : Impact d’une post-oxydation thermique sur l’isolation électrique d’un dispositif MOS contenant des nanocristaux de silicium obtenus à partir de dépôts PPECVD

Mots-clés de la thèse : PECVD,PPECVD,mémoires à nanocristaux,MET,MEHR,Imagerie filtrée en énergieEllipsométrie Spectroscopique

Direction de thèse : Bernard DESPAX

Co-direction de thèse : Caroline BONAFOS

Unité de recherche : LAPLACE - Laboratoire PLAsma et Conversion d'Énergie UMR 5213 - Toulouse
Intitulé de l'équipe : SCiPRA

Diplôme national de master - Matériaux pour L'Electronique et Ingénierie des Plasma

obtenu en 2007 - UPS

Production scientifique

- S. Perret-Tran-Van K. Makasheva B. Despax C. Bonafos P.-E. Coulon V. Paillard 2010. Controlled fabrication of Si-nanocrystals embedded in thin SiON layers by PPECVD followed by oxidizing annealing Nanotechnology, Volume 21 285605(9pp), http://iopscience.iop.org/0957-4484/21/28/285605

Langues Vivantes : Anglais C2 - Courant

Dernière mise à jour le 6 septembre 2011