Tiantian ZHANG - Soutenance en cours de traitement

Projet professionnel :

démarrage d'une société portant sur l'import-export entre la France et la chine

Techniques maîtrisées :
femtosecond time-resolved photoluminescence, optics, laser spectroscopy, fast electonics
Compétences :
computer skills (Matlab, Origin, Office), Ability to work with a team, languages

Expérience professionnelle :
Inactif (au foyer, retraité ...)
Sujet de recherche ou mission professionnelle :congés maternité

Doctorat Nanophysique

Thèse soutenue le 9 avril 2014 - Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse

Ecole doctorale : SDM - SCIENCES DE LA MATIERE - Toulouse

Sujet : Injection de spin dans des systèmes à base de semiconducteurs III-V en vue de nouveaux composants spintroniques

Mots-clés de la thèse : Spin,injection,semiconducteur,ferromagnetique,luminescence,nanostructure

Direction de thèse : Pierre RENUCCI

Co-encadrement de thèse : Hélène CARRERE

Unité de recherche : LPCNO - Laboratoire de Physique et Chimie des Nano-Objets UMR 5215 - Toulouse
Intitulé de l'équipe : Optoélectronique quantique

Diplôme d'études approfondies DEA - Master of Engineering

obtenu en juillet 2010 - Harbin Institute of Technology
Option : Physical electronics

Production scientifique

- S. Mazzucato1, T. T. Zhang1, H. Carrère1, D. Lagarde1, P. Boonpeng2, A. Arnoult2,3, G. Lacoste2,3, A. Balocchi1, T. Amand1, C. Fontaine2,3, and X. Marie1 2013. Electron spin dynamics and g-factor in GaAsBi Appl. Phys. Lett. , 102, 252107 , http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/102/25/10.1063/1.4812660
- C. T. Nguyen1, A. Balocchi1, D. Lagarde1, T. T. Zhang1, H. Carrère1, S. Mazzucato1, P. Barate1, E. Galopin2, J. Gierak2, E Bourhis2, J. C. Harmand2, T. Amand1, and X. Marie1 2013. Fabrication of an InGaAs spin filter by implantation of paramagnetic centers Appl. Phys. Lett. , 103, 052403 , http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/103/5/10.1063/1.4816970
- T. T. Zhang, P. Barate, C. T. Nguyen, A. Balocchi, T. Amand, P. Renucci, H. Carrere, B. Urbaszek, and X. Marie* 2013. L-valley electron spin dynamics in GaAs Phys. Rev. B Rapid Comm., 87, 041201(R), http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.87.041201
- S Mazzucato1, P Boonpeng2,4, H Carrère1, D Lagarde1, A Arnoult2,3, G Lacoste2,3, T Zhang1, A Balocchi1, T Amand1, X Marie1 and C Fontaine2,3 2013. Reduction of defect density by rapid thermal annealing in GaAsBi studied by time-resolved photoluminescence Semicond. Sci. Technol., 28 022001, http://stacks.iop.org/0268-1242/28/i=2/a=022001

Informations complémentaires :
ski, movies, music
Langues Vivantes : Anglais B2 - Intermédiaire supérieur - Français A2 - Élémentaire - Chinois C2 - Maternel

Dernière mise à jour le 12 mars 2014