Lucien GHIZZO - Admis au titre de docteur


Identifiant ORCID 0000000258673107
Identifiant Hal https://hal.archives-ouvertes.fr/search/index/?q=%2A&authIdHal_s=lucien-ghizzo
Compte LinkedIn www.linkedin.com/in/lucien-ghizzo-639a53156

Doctorat Composants et Systèmes de gestion de l'Energie


Thèse soutenue le 18 septembre 2024 - Institut National Polytechnique de Toulouse

Ecole doctorale : GEETS - Génie Electrique Electronique,Télécommunications et Santé : du système au nanosystème

Sujet : Fiabilité fonctionnelle du HEMT GaN moyenne tension en régime de stress électriques ciblés et aggravés

Mots-clés de la thèse : Fiabilité,Electronique de puissance,GaN HEMT,Failure Analysis,Stress électrique,Mécanismes de dégradation,

Direction de thèse : Frédéric RICHARDEAU

Co-direction de thèse : David TREMOUILLES

Co-encadrement de thèse : Gérald GUIBAUD

Unité de recherche : LAPLACE - Laboratoire PLAsma et Conversion d'Énergie UMR 5213 - Toulouse
Intitulé de l'équipe : CS - Groupe Convertisseurs statiques

Ingénieur - Diplôme d'ingénieur de l'ECOLE NATIONALE SUPERIEURE D'ELECTROTECHNIQUE D'ELECTRONIQUE D'INFORMATIQUE D'HYDRAULIQUE ET DES TELECOMMUNICATIONS

obtenu en octobre 2020 - Toulouse INP
Option : ELECTRONIQUE ET GENIE ELECTRIQUE

Production scientifique

- Lucien Ghizzo, David Trémouilles, Frédéric Richardeau, Gérald Guibaud 2024. Preconditioning of Ohmic p-GaN power HEMT for reproducible Vth measurements   Solid-State Electronics, Volume 214, April 2024, 108868, https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108868
- L. Ghizzo; G. Guibaud; C. De Nardi; F. Jamin; V. Chazal; D. Trémouilles; R. Monflier; F. Richardeau; G. Bascoul; M. González 2023. Backside Fault Localization and Defect Physical Analysis of Degraded Power HEMT p-GaN Transistors Stressed in DC and AC Switching Modes   ISTFA 2023: Conference Proceedings from the 49th International Symposium for Testing and Failure Analysis, istfa2023p0491, pp. 491-499; 9 pages, https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2023p0491
- Lucien Ghizzo, David Trémouilles, Frédéric Richardeau 2023. Méthode de préconditionnement du HEMT GaN pour une mesure reproductible de Vth   , pp.https://sge2023.sciencesconf.org/resource/page/id/35, https://hal.science/hal-04157673/document
- Lucien Ghizzo, David Trémouilles, Frédéric Richardeau, Sébastien Vinnac, François Jamin, Gérald Guibaud 2023. Over-Voltage and Cross-Conduction Hard Switching Stress on Schottky Gate-Type p-GaN HEMT in Half-Bridge Operation Experimental and Physical Approaches [ESREF'23]   , , https://hal.science/hal-04252379/document
- L. Ghizzo, D. Trémouilles, F. Richardeau, S. Vinnac, L. Moreau, N. Mauran 2023. Preconditioning of p-GaN power HEMT for reproducible Vth measurements   Microelectronics Reliability, Volume 144, https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271423000550

Langues Vivantes : Anglais C2 - Courant - Espagnol B1 - Intermédiaire - Français C2 - Maternel - Italien A2 - Élémentaire
Dernière mise à jour le 10 juin 2024