M. Alain CLAVERIE
HDR

Consulter la fiche

Coordonnées :
29 rue J Marvig
31400 TOULOUSE

alain.claverie@cemes.fr

UPR 8011 - CEMES - Centre d'Elaboration de Matériaux et d'Etudes Structurales
Equipe : MEM - Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme

Encadrement :

• 1 thèse en cours
• 11 thèses soutenues / soutenances à venir (1 personne ne souhaite pas figurer sur internet)

Birame DIAKHATÉ -
Spécialité : Physique de la Matière

Sujet de thèse : Compréhension et amélioration des effets des réductions dimensionnelles dans les mémoires à changement de phase à base de GST riche en germanium

Mot-clés : mémoires à changement de phase,Réductions dimentionnelles,GST riche en germanium,,

Profil mis à jour le 31 janvier 2025            

Rémy BERTHELON -
Spécialité : Nanophysique

Sujet de thèse : Intégration de contraintes mécaniques et optimisation des performances des transistors MOS complètement désertés sur isolant (FDSOI)

Mot-clés : Contraintes,Déformations,CMOS,FDSOI,

Profil mis à jour le 04 avril 2018  

Aurélie ROYAL -
Spécialité : Sciences et Génie des Matériaux

Sujet de thèse : Etude du piégeage de l'hydrogène implanté et application au transfert de couches fines de silicum

Mot-clés : piégeage de l'hydrogène,implantation ionique,fracture du silicium,procédés disruptifs,

Profil mis à jour le 26 octobre 2016  

Victor BOUREAU -
Spécialité : Nanophysique

Sujet de thèse : Déformations introduites lors de la fabrication de transistors FDSOI : une contribution de l'holographie électronique en champ sombre

Mot-clés : holographie électronique en champ sombre,contrainte,SOI,SiGe,dopage,CMOS

Profil mis à jour le 22 février 2016  

François-Xavier DARRAS -
Savoir faire :
Microscopie électronique en transmission
Analyse de couche mince par diffraction de rayons-X
Programmation en ADA, C, VB.NET, LabVIEW

Mobilité géographique : Tous les pays

Expérience professionnelle
Employeur : CEA Grenoble - FRANCE
Fonction : Ingénieur de recherche

Spécialité : Sciences et Génie des Matériaux

Sujet de thèse : Précipitation et contrainte dans le silicium implanté par hydrogène.

Mot-clés : Précipitation,implantation,contrainte,smart-cut,hydrogène,variants crystallographiques

Profil mis à jour le 21 mai 2015  

Pablo ACOSTA ALBA -
Mobilité géographique : Tous les pays

Expérience professionnelle
Employeur : Soitec
contrat : -

Spécialité : Physique de la Matière

Sujet de thèse : Influence des étapes du procédé SmartcutTM sur l'uniformité d'épaisseur de la couche de silicium dans le SOI ultrafin

Mot-clés : Films minces,Rugosité / épaisseur,Caractérisation multi-échelle,,

Profil mis à jour le 15 avril 2014  

Patrizio BENZO -
Spécialité : Physique de la Matière

Sujet de thèse : Transfert de contraintes dans les transistors ultimes via des dépôts SiN : Etude par holographie électronique et modélisation par éléments finis

Mot-clés : Microscopie Electronique en Trasmission,Dispositifs electroniques,Contraintes,Mobilité des porteurs,Holographie Electronique en Champ Sombre,Modélisations par Eléments Finis

Profil mis à jour le 16 septembre 2014  

Julian DUCHAINE -
Savoir faire :
Dans le milieu de la micro-élèctronique spécialement l'implantation mais aussi tout autres techniques de fabrication associé au composant de la micro et nano technologie (gravure , nettoyage...)
Connaissance en materiaux silicium et germanium

Mobilité géographique : Tous les pays

Expérience professionnelle
Employeur : ION BEAM SERVICES - PEYNIER - FRANCE
Fonction : Ingénieur R&D
contrat : 11 mai 2012

Spécialité : MicroNano Systèmes

Sujet de thèse : Caractérisation de l'implantation de type P par immersion plasma Pulsion(r) et intégration dans la fabrication de transistors dernières générations

Mot-clés : Implantation,Dopage plasma,Defauts d'implantation,Transistor FD-SOI,Transistor Trigate,Bore

Profil mis à jour le Mardi 24 avril 2012

FLORIAN HUE -
Spécialité : Nanophysique

Sujet de thèse : Etude de contraintes dans des nanostructures si/sigle par microscopie électronique haute résolution à correcteur d'aberration sphérique


Profil mis à jour le Lundi 13 décembre 2010

Stéphane KOFFEL - Compétences :
Dopage des semi-conducteurs : mécanisme d'introduction, de diffusion et d'activation des dopants
Informatique : utilisation de systèmes de type UNIX, programmation en C/C++, programmation en assembleur x86, html/php/mysql

Savoir faire :
Microspopie électronique en transmission
Préparation des échantillons avant observation

Expérience professionnelle
Employeur : Fraunhofer Institut - ALLEMAGNE
Fonction : Post-doc
contrat : 16 janvier 2009

Spécialité : 2MGE - Matériaux, Mécanique, Génie civil, Electrochimie

Sujet de thèse : Implantation, diffusion et activation des dopants dans le Germanium

Mot-clés : implantation, diffusion, activation, dopage, Germanium, microélectronique, caractérisation, modélisation

Profil mis à jour le 7 juillet 2009

OLIVIER MARCELOT -
Expérience professionnelle

Spécialité : Nanophysique

Sujet de thèse : Ingénieurei de défauts ponctuels pour le contrôle de la diffusion et de l'activation du Bore dans le silicum


Profil mis à jour le Lundi 17 janvier 2011