François BOIGE - Soutenance en cours de traitement


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TOULOUSE FRANCE
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Doctorat Génie Electrique


Thèse soutenue le 27 septembre 2019 - Institut National Polytechnique de Toulouse

Ecole doctorale : GEETS - Génie Electrique Electronique,Télécommunications et Santé : du système au nanosystème

Sujet : Caractérisation et modélisation électrothermique compacte étendue du MOSFET SiC en régime extrême de fonctionnement incluant ses modes de défaillance. Application à la conception d’une protection intégrée au plus proche du circuit de commande

Mots-clés de la thèse : MOSFET,SiC,fiabilité,gestion des pannes,court-circuit,fonctionnement sécurisé

Direction de thèse : Frédéric RICHARDEAU

Co-direction de thèse : Stephane LEFEBVRE

Unité de recherche : LAPLACE - Laboratoire PLAsma et Conversion d'Énergie UMR 5213 - Toulouse
Intitulé de l'équipe : CS - Groupe Convertisseurs statiques

Master Européen - Master 2 Physique et Ingénierie de l'Energie (PIE)

obtenu en juillet 2016 - ENS de Cachan
Option : Système d'Energie Electrique

Production scientifique

- F. Richardeau, F. Boige 2019. Circuit-Type modelling of SiC power Mosfet in short-circuit operation including selective fail-to-open and fail-to-short modes competition   ESREF 2019, p.1-6,
- F.Boige, D.Tremouilles, F.Richardeau 2019. Physical origin of the gate current surge during short-circuit operation of SiC MOSFET   IEEE Electron Device Letters, p.1-1, https://doi.org/10.1109/LED.2019.2896939
- F. Boige, A.Fayyaz, A. Castellazzi, F. Richardeau 2019. Short-circuit robustness of parallel SiC MOSFETs and fail-safe mode strategy   EPE 2019, p.1-5,
- F.Boige, F.Richardeau, S.Lefebvre, M.Cousineau 2019. SiC power MOSFET in short-circuit operation: Electro-thermal macro-modelling combining physical and numerical approaches with circuit-type implementation   Mathematics and Computers in Simulation, Vol. 158 p.375-386, https://doi.org/10.1016/j.matcom.2018.09.020
- F. Boige, F. Richardeau, S. Lefebvre, J.-M. Blaquière, G. Guibaud, A. Bourennane 2018. Ensure an original and safe fail-to-open mode in planar and trench power SiC MOSFET devices in extreme short-circuit operation   Microelectronics Reliability, 88-90, pp.598-603, https://doi.org/10.1016/j.microrel.2018.07.026
- F. Boige 2018. Etude des propriétés uniques des MOSFET en Carbure de Silicium (SiC) en régime de court-circuit   Anadef 2019, Présentation orale en tant qu'invité,
- F. Boige 2018. Etude des propriétés uniques des MOSFET SiC en régime de court-circuit (CC) en vue de la sécurisation de cellule de commutation   Ecole d'été grand-gap, Présentation orale en tant que doctorant invité,
- F. Richardeau, F. Boige 2018. Gate leakage-current, damaged gate and open-circuit failure-mode of recent SiC Power Mosfet   IEEE International Conference on Electrical Systems for Aircraft, Railway, Ship Propulsion and Road Vehicles & International Transportation Electrification Conference (ESARS-ITEC), DOI 10.1109/ESARS-ITEC.2018.8607551, https://doi.org/10.1109/ESARS-ITEC.2018.8607551
- F. Boige 2017. Etude de MOSFET 1200V en SiC en régime extrême de court-circuit   ISP3D 2017, Présentation orale en tant qu'invité,
- F. Boige, F. Richardeau 2017. Gate leakage-current analysis and modelling of planar and trench power SiC MOSFET devices in extreme short-circuit operation   Microelectronics Reliability, Vol. 76-77 p.532-538, https://doi.org/10.1016/j.microrel.2017.06.084
- F. Boige, F. Richardeau, S. Lefebvre 2017. Global electro-thermal modelling and circuit-type simulation of SiC MOSFET power devices in short-circuit operation for critical system analysis   In ELECTRIMACS 2017 : International Conference on Modeling and Simulation of Electric Machines, Converters and Systems (Toulouse, France, Jul. 4-6, 2017) ELECTRIMACS., Vol.1 p.3,
- François Boige, Fréféric Richardeau, David Trémouilles, Stéphane Lefebvre, G. Guibaud 2017. Investigation on damaged planar-oxide of 1200 V SiC power MOSFETs in non-destructive short-circuit operation   Microelectronics Reliability, 76-77, pp.500 - 506, https://hal.laas.fr/hal-01643030/document
- F. Boige 2016. Caractérisation de composants grand-gap en régime extrême de fonctionnement en vue de leur protection   Mémoire de MASTER 2, vol.1 p.1,
- F. Richardeau, F. Boige 2016. Éléments exploratoires sur la robustesse et les modes de défaillance en régime extrême de court-circuit.   PRIMES, Présentation orale pour une public industriel,

Langues Vivantes : Anglais C1 - Avancé - Français Maternel
Dernière mise à jour le 27 août 2019