Cong Tu NGUYEN - Soutenance en cours de traitement

Adresse Professionnelle
LPCNO, Département de Génie Physique,INSA- 135 avenue de Rangueil 31400
Toulouse FRANCE

Expérience professionnelle :
CDD du 3 février 2011 au 2 février 2014
Domaine d'activité : Physique
Type de contrat : Administrations (ministères, collectivités territoriales, agences, secteur hospitalier…)
Fonction exercée : Doctorant
Unité de recherche ou entreprise : LPCNO, INSA Toulouse http://lpcno.insa-toulouse.fr/
TOULOUSE - FRANCE

Doctorat Photonique et Systèmes Optoélectroniques

Thèse soutenue le 11 avril 2014 - Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse

Ecole doctorale : GEETS - Génie Electrique Electronique,Télécommunications et Santé : du système au nanosystème

Sujet : Dynamique de spin dans des structures semiconductrices à base de GaN et de InGaAs

Mots-clés de la thèse : Dynamique de spin,nanostructures semiconductrices,grand bandgap,,

Direction de thèse : Thierry AMAND

Co-encadrement de thèse : Andrea BALOCCHI

Unité de recherche : LPCNO - Laboratoire de Physique et Chimie des Nano-Objets UMR 5215 - Toulouse
Intitulé de l'équipe : OPTO - Opto-électronique quantique

Diplôme étranger - Master of Science

obtenu en septembre 2010 - Institut Polytechnique de Hanoi
Option : Materials Science

Production scientifique

- C. T. Nguyen, A. Balocchi, D. Lagarde, T. T. Zhang, H. Carrère, S. Mazzucato, P. Barate, E. Galopin, J. Gierak, E Bourhis, J. C. Harmand, T. Amand, and X. Marie 2013. Fabrication of an InGaAs spin filter by implantation of paramagnetic centers Applied Physics Letters, Volume 103, page 052403 (2013), http://link.aip.org/link/doi/10.1063/1.4816970
- T. T. Zhang, P. Barate, C. T. Nguyen, A. Balocchi, T. Amand, P. Renucci, H. Carrere, B. Urbaszek, and X. Marie 2013. L-valley electron spin dynamics in GaAs Physical Review B , Phys. Rev. B 87, 041201(R) (2013), http://prb.aps.org/abstract/PRB/v87/i4/e041201
- A. Balocchi, J. Renard, C. T. Nguyen, B. Gayral, T. Amand, H. Mariette, B. Daudin, G. Tourbot, and X. Marie 2011. Temperature-insensitive optical alignment of the exciton in nanowire-embedded GaN quantum dots Physical Review B, Phys. Rev. B 84, 235310 (2011), http://prb.aps.org/abstract/PRB/v84/i23/e235310

Langues Vivantes : Anglais B2 - Intermédiaire supérieur - Vietnamien C2 - Maternel - Français A2 - Élémentaire

Dernière mise à jour le 14 mars 2014