Julian DUCHAINE - Soutenance en cours de traitement


En recherche d'emploi
Disponibilité : mai 2012
Mobilité : Tous les pays
Techniques maîtrisées :
Dans le milieu de la micro-élèctronique spécialement l'implantation mais aussi tout autres techniques de fabrication associé au composant de la micro et nano technologie (gravure , nettoyage...) Connaissance en materiaux silicium et germanium

Expérience professionnelle :
CDI depuis le 11 mai 2012
Domaine d'activité : Micro-électronique
Type de contrat : Entreprises
Fonction exercée : Ingénieur R&D
Sujet de recherche ou mission professionnelle :Developpement de procédés d'implantation par immersion plasma
Unité de recherche ou entreprise : ION BEAM SERVICES http://www.ion-beam-services.com/
PEYNIER - FRANCE

Doctorat MicroNano Systèmes


Thèse soutenue le 17 juillet 2012 - Université de Toulouse

Ecole doctorale : GEETS - Génie Electrique Electronique,Télécommunications et Santé : du système au nanosystème

Sujet : Caractérisation de l'implantation de type P par immersion plasma Pulsion(r) et intégration dans la fabrication de transistors dernières générations

Mots-clés de la thèse : Implantation,Dopage plasma,Defauts d'implantation,Transistor FD-SOI,Transistor Trigate,Bore

Direction de thèse : Alain CLAVERIE

Unité de recherche : CEMES - Centre d'Elaboration de Matériaux et d'Etudes Structurales UPR 8011 - Toulouse
Intitulé de l'équipe : Nanomatériaux

Master Professionnel - Physique des composants pour les nano et micro technologies

obtenu en juin 2008 - Université de Montpellier II

Production scientifique

- S. Prussin, Abhijeet Joshi, Julian Duchaine, Lequn Jennifer Liu, Wei Hui Hsu Shu Qin and Hiroshi Onoda 2012. Direct Measurement of Strain Enhanced Mobility   IIT2012, ,
- J.Duchaine, F. Milési, S.Barraud, F. Gonzatti, S. Reboh, F. Mazen, F.Torregrosa 2012. Plasma immersion ion implantation for sub 22nm node devices: FD-SOI and Trigate Nano-wire   IIT2012, ,
- J.Duchaine, M.Quillet,C.Grosjean, R.Daineche, Y.Larmande,F.Torregrosa,J.P.Barnes,M.Veillerot,F.Milesi,V.Mortet,E.Bedel,F.Cristiano 2011. Comparing SIMS profiles and electrical measurements performed on low energy implanted boron in silicon   SIMSXXII, ,
- Ottaviani,S. Biondo, M. Kazan,O.Palais,J.Duchaine,F.Milesi,R.Daineche,B.Courtois and F.Torregeosa 2011. Implantation of Nitrogen Atoms in 4H-SiC Epitaxial Layer : a Comparison between Standard and Plasma Immersion Processes   Advanced Materials Research , Volume 324 P265-268,
- L.Ottaviani, S.Biondi, M.Lazar, W.Vervish, J.Duchaine, F.Milesi, O.Palais, D;Planson, F.Torregrosa 2011. Influence of P+ layer Parameters on 4H-SiC UV Pin photodetector characteristics   WOCSDICE 2011, ,
- J.Duchaine,F.Gonzatti,F.Torregrosa,H.Etienne,S.Felch,F.Milesi,K.Yckache,Y.Spiepel and A.Claverie 2011. Integration of a plasma doping PULSION® process into a fully depleted SOI transistor flow chart   IEEE Xplore (IWJT2011) , ,
- SB Felch ,C Hobbs,J.Barnett,H.Etienne.J.Duchaine,M.Rodgers,S.Bennett,F.Torregrosa,Y.Spiegel and L.Roux 2011. Plasma doping of silicon fin structures   IEEE Xplore (IWJT2011), ,
- A.Burenkov,P.Pichler, J.Lorenz,Y. Siegel, J.Duchaine, F.Torregrosa 2011. Simulation of plasma Immersion Implantation   IEEE Xplore (SISPAD2011) , ,
- S.Biondi,L.Ottaviani,M.Lazar,D.Planson,J.Duchaine,V.Le Borgne, M.A El Khakani,F.Milesi,W.Vervisch,O.Palais and F.Torregrosa 2010. 4H-SiC Photodiodes : a Comparison between Beam and Plasma Doping Processes   ESCRM2010, ,
- Frank Torregrosa, Catherine Grosjean, Mona Moret, Y. Depuydt, Yohann Spiegel, Hasnaa Etienne, Susan Felch, Julian Duchaine, Laurent Roux,B. Bortolotti, R. Daineche 2010. Comparison of different characterization techniques for plasma implanted samples having highly doped and shallow implanted layers: Total dose, profile, etching and deposition characterizations   IIT2010, ,
- Frank Torregrosa, Yohann Spiegel, Hasnaa Etienne, Susan Felch, Julian Duchaine, Laurent Roux,Dean Turnbaugh, Sandeep Mehta 2010. Different Profile Responses to Dose Variation for B2H6 and BF3 Plasma Doping using PULSION®   IIT2010, ,
- Susan B. Felch, Hasnaa Etienne, Yohann Spiegel, Frank Torregrosa, Julian Duchaine, Laurent Roux, Dean Turnbaugh, Sandeep Mehta 2010. Optimization of Etching/Deposition Phenomena for BF3 and B2H6 Plasma Doping using PULSION®   IIT2010, ,
- Laurent J. Ottaviani, Stéphane Biondo, Olivier Palais, Julian Duchaine, Frédéric Milesi, ThierrySauvage, Frank Torregrosa. 2010. Plasma Immersion Ion Implantation applied to N+P junction realisation in 4H-SiC   AIP conference proceedings (IIT2010), volume 1321,
- Frederic Gonzatti,Frederic Milési, Delaye Vincent, Julian Duchaine, Frank Torregrosa, Hasnaa Etienne, Karim Yckache 2010. Plasma implantation technology for upcoming ultra shallow and highly doped fully depleted silicon on SOI   AIP conference proceedings , Volume 1321,

Informations complémentaires :
Snow board, VTT , jeux video et peinture
Langues Vivantes : Anglais C1 - Avancé - Espagnol A1 - Débutant
Dernière mise à jour le 24 avril 2012